| J112RLRA | |
|---|---|
| Número de peça | J112RLRA |
| Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descripció | JFET N-CH 35V 0.35W TO92 |
| Quantitat disponible | 2632 pcs new original in stock. Sol·liciteu una existència i un pressupost |
| Model ECAD | |
| Fulls de dades | J112RLRA.pdf |
| J112RLRA Price |
Sol·liciteu el preu i el termini de termini en línia or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Informació tècnica de J112RLRA | |||
|---|---|---|---|
| Número de part del fabricant | J112RLRA | Categoria | Produtos semicondutores discretos |
| Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Descripció | JFET N-CH 35V 0.35W TO92 |
| Paquet / estoig | Tape & Reel (TR) | Quantitat disponible | 2632 pcs |
| Tensión - Cutoff (VGS off) @ Id | 1V @ 1µA | Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) | 35V |
| Paquete de dispositivos de provedores | TO-92-3 | Serie | - |
| Resistencia - RDS (On) | 50 Ohms | Poder - Máx | 350mW |
| Empaquetado | Tape & Reel (TR) | Paquete / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Temperatura de operación | -65°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaxe | Through Hole |
| Nivel de sensibilidade á humidade (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado libre de chumbo / Estado RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - | Tipo FET | N-Channel |
| Descrición detallada | JFET N-Channel 35V 350mW Through Hole TO-92-3 | Corrente: escorrer (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 5mA @ 15V |
| Número de parte base | J112 | ||
| descarregar | J112RLRA PDF - EN.pdf | ||
Enviar-nos per correu electrònic: Info@Ariat-Tech.com o RFQ J112RLRA en línia.
| Estoc J112RLRA | Preu J112RLRA | J112RLRA Electronics | |||
| Components J112RLRA | Inventari J112RLRA | J112RLRA Digikey | |||
| Proveïdor J112RLRA | Ordre en línia J112RLRA | Consulta J112RLRA | |||
| Imatge J112RLRA | Fotografia J112RLRA | PDF J112RLRA | |||
| Fitxa de dades J112RLRA | Descarregueu el full de dades J112RLRA | Fabricant | |||
| Parts relacionades amb J112RLRA | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Imatge | Número de peça | Descripció | Fabricant | Obteniu un pressupost | |
 |
J112-D26Z | JFET N-CH 35V 625MW TO92 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ||
|
J112RL1 | JFET N-CH 35V 0.35W TO92 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ||
 |
J112,126 | JFET N-CH 40V 400MW TO92-3 | NXP USA Inc. | ||
 |
J113 MOS | VISHAY TO-92 | VISHAY | ||
|
J112G | JFET N-CH 35V 0.35W TO92 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ||
|
J113,126 | JFET N-CH 40V 400MW TO92-3 | NXP USA Inc. | ||
|
J112G/MJD112T4G | ON SOT-252-251 | ON | ||
|
J112RL1G | JFET N-CH 35V 0.35W TO92 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ||
|
J112RLRAG | JFET N-CH 35V 0.35W TO92 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ||
|
J112_D27Z | JFET N-CH 35V 625MW TO92 | N/A | ||
|
J112-D74Z | JFET N-CH 35V 625MW TO92 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ||
|
J112_D74Z | JFET N-CH 35V 625MW TO92 | N/A | ||
|
J112_D11Z | JFET N-CH 35V 625MW TO92 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ||
|
J113-D74Z | JFET N-CH 35V 625MW TO92 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ||
|
J112_D26Z | JFET N-CH 35V 625MW TO92 | N/A | ||
 |
J112 | JFET N-CHAN 35V TO92 | Central Semiconductor Corp | ||
|
J113 | JFET N-CH 35V 625MW TO92 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ||
|
J112-D27Z | JFET N-CH 35V 625MW TO92 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ||
|
J112 | JFET N-CH 35V 625MW TO92 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ||
|
J113_D26Z | JFET N-CH 35V 625MW TO92 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ||
Notícies
Més
A mesura que avança la tecnologia i l’edat de la informació, les xarxes òptiques, un mètode de transmissió de dades eficient i fiable, transform...
La casa va informar el 16 d'abril que, segons el "Informe Global Mercat d'equips de semiconductors" publicat recentment per l'Organització de la Ind...
La unió sueca si Metall va anunciar el 10 d'abril que la vaga de Tesla Mechanics és una de les disputes laborals més llargues del país i continua ...
Recentment, els principals fabricants d’emmagatzematge com Micron, Samsung i Western Digital han anunciat l’augment de preus.Els privilegiats de la ...
A l’aire, la fracció normal de volum de contingut d’oxigen és d’uns 20,9%, però quan el contingut d’oxigen baixa per sota d’aquest valor, pot ...
Nous productes
Més
Sensor fotoelèctric de la sèrie PD30 Els sensors fotoelèctrics en miniatura de Carlo Gavazzi són...
XC112 / XR112 Kit d’avaluació del radar coherent amb impulsions A111 Kit d'avaluació XC112 i XR11...
Unitats i motors de servomotor de la sèrie MINAS A6 La família MINAS A6 de Panasonic assegura un f...
Placa de control de LED UV Placa de control de LED UV de RayVio per a sèries XE i XP1 d'emissors UV...
Prova SDRAM industrial i ampliada DDR Els dispositius DDR SDDAM d’Insignis garanteixen el funcionam...
Correu electrònic: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966AFEGIR: Rm 2703 27F Ho King Comm Centre 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hong Kong.
Avís de copyright © 1996-2024 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Tots els drets reservats.